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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS880Z18AGT-133I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 512K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 627K |
| 代理商： | GS880Z18AGT-133I |
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GS880Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
15/23
2001, GSI Technology
Note:
These parameters are sample tested.
Capacitance
(TA = 25oC, f = 1 MHZ, VDD = 2.5 V)
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
CIN
VIN = 0 V
45
pF
Input/Output Capacitance
CI/O
VOUT = 0 V
67
pF
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDD – 0.2 V
Input low level
0.2 V
Input slew rate
1 V/ns
Input reference level
VDD/2
Output reference level
VDDQ/2
Output load
Fig. 1
Notes:
1. Include scope and jig capacitance.
2. Test conditions as specified with output loading as shown in Fig. 1
unless otherwise noted.
3. Device is deselected as defined by the Truth Table.
50% tKC
VSS – 2.0 V
50%
VSS
VIH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
50% tKC
VDD + 2.0 V
50%
VDD
VIL
DQ
VDDQ/2
50
30pF*
Output Load 1
* Distributed Test Jig Capacitance
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