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參數(shù)資料
| 型號： | GS8662S08E |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| 中文描述： | 72Mb的DDR 2突發(fā)SigmaSIO - II SRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 32/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 960K |
| 代理商： | GS8662S08E |
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JTAG Port AC Test Conditions
Notes:
1.
2.
Distributed scope and test jig capacitance.
Test conditions as shown unless otherwise noted.
Parameter
Symbol
Min
Unit
Input High/Low Level
V
IH
/V
IL
1.3/0.5
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
1.0/1.0
ns
Input and Output Timing Reference Level
0.9
V
Preliminary
GS8662S08/09/18/36E-333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 9/2005
32/37
2005, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8662S08E-167 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-167I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-200 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-200I | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-250 | 72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8662S08E-167 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-167I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
| GS8662S08E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:72Mb Burst of 2 DDR SigmaSIO-II SRAM |
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