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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8644V18E-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 7/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 843K |
| 代理商： | GS8644V18E-200 |
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Product Preview
GS8644V18(B/E)/GS8644V36(B/E)/GS8644V72(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
7/40
2003, GSI Technology
GS8644V18/36 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low (x36 Version)
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
FLXDrive Output Impedance Control (Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low
Drive])
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
ZQ
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
—
Must Connect Low
SCD
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Single Cycle Deselect/Dual Cyle Deselect Mode Control
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8644V18E-200I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-225 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-225I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-250 | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-250I | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8644V18E-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS8644V18E-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
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