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參數(shù)資料
| 型號： | GS864218B-200V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, FPBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 19/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | GS864218B-200V |
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Preliminary
GS864218/36/72(B/C)-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 6/2006
19/35
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS864218B-250IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218B-250V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218B-V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-167IV | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218GB-167V | 4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS864218B-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 6.5NS/2.5NS 119FBGA - Trays |
| GS864218B-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218B-250M | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
| GS864218B-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 36, 1M x 72 72Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS864218B-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 72MBIT 4MX18 5.5NS/2.3NS 119FBGA - Trays |
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