| 型號: | GS8640E18T-167V | 
| 廠商: | GSI TECHNOLOGY | 
| 元件分類: | DRAM | 
| 英文描述: | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| 中文描述: | 4M X 18 CACHE SRAM, 8 ns, PQFP100 | 
| 封裝: | TQFP-100 | 
| 文件頁數(shù): | 11/23頁 | 
| 文件大?。?/td> | 601K | 
| 代理商: | GS8640E18T-167V | 

相關(guān)PDF資料  | 
PDF描述  | 
|---|---|
| GS8640E18T-200IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-200V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-250IV | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-250V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-V | 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)  | 
參數(shù)描述  | 
|---|---|
| GS8640E18T-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs | 
| GS8640E18T-V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs |