參數(shù)資料
型號(hào)： GS8640E18GT-200IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 4M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 6/23頁(yè)
文件大?。?/td> 601K
代理商： GS8640E18GT-200IV
GS8640E18/32/36T-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 6/2006
6/23
2004, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
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D
Q
D
Q
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Register
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D
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D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0
–
An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
E
2
E
3
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
Note: Only x36 version shown for simplicity.
DCD=
1
B
B
B
C
B
D
FT
GS8640E18/32/36-xxxV Block Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8640E18GT-200V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-250IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-250V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-167IV 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18T-167V 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8640E18GT-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS8640E18GT-250IV 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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