參數(shù)資料
型號(hào)： GS864032GT-300
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 8/24頁(yè)
文件大?。?/td> 609K
代理商： GS864032GT-300
GS864018/32/36T-300/250/200/167
Product Preview
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
8/24
2004, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x32 and x36 versions.
L
X
X
X
X
X
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PDF描述
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GS864032T-167I 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS864032T-200 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
GS864032T-200I 4M x 18, 2M x 32, 2M x 36 72Mb Sync Burst SRAMs
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