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參數(shù)資料
| 型號： | GS84018AT-180 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256 × 18，128K的× 32，128K的× 36 4Mb的同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 9/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 911K |
| 代理商： | GS84018AT-180 |
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Rev: 1.12 7/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
9/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
BGA Pin Description
Pin Location
N4, P4
Symbol
A
0
, A
1
Type
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
A2, A3, A5, A6, B3, B5, C2, C3, C5,
C6, R2, R6, T3, T5
T4
T2, T6
T2, T6
K7, K6, L7, L6, M6, N7, N6, P7
H7, H6, G7, G6, F6, E7, E6, D7
H1, H2, G1, G2, F2, E1, E2, D1
K1, K2, L1, L2, M2, N1, N2, P1
An
I
Address Inputs
An
NC
An
Address Input (x32/36 Versions)
No Connect (x32/36 Versions)
Address Input (x18 Version)
-
I
DQ
A1
-DQ
A8
DQ
B1
-DQ
B8
DQ
C1
-DQ
C8
DQ
D1
-DQ
D8
DQ
A9
, DQ
B9
,
DQ
C9
, DQ
D9
NC
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
DQ
A1
-DQ
A9
DQ
B1
-DQ
B9
B
A
, B
B
I/O
Data Input and Output pins (x32/36 Versions)
P6, D6, D2, P2
I/O
Data Input and Output pins (x36 Version)
P6, D6, D2, P2
L5, G5, G3, L3
-
I
No Connect (x32 Version)
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/O’s; active low ( x36 Version)
P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6
D1, E2, G2, H1, K2, L1, M2, N1, P2
L5, G3
B1, C1, R1, T1, U2, J3, U3, D4, L4,
U4, J5, U5, U6, B7, C7, R7
P6, N7, M6, L7, K6, H7, G6, E6, D7,
D2, B1, E1, F2, G1, H2, K1, L2, N2,
P1, G5, L3, T4
K4
M4
H4
E4, B6
B2
F4
G4
A4, B4
T7
R5
R3
J2, C4, J4, R4, J6
D3, E3, F3, H3, K3, M3, N3, P3, D5,
E5, F5, H5, K5, M5, N5, P5
A1, F1, J1, M1, U1, A7, F7, J7, M7,
U7
I/O
Data Input and Output pins (x18 Version)
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
I/O’s; active low ( x18 Version)
NC
-
No Connect
NC
-
No Connect (x18 Version)
CK
BW
GW
E
1
, E
3
E
2
G
ADV
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
Core power supply
ADSP, ADSC
ZZ
FT
LBO
V
DD
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS84018AT-180I | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84032AB-166 | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84032AB-180 | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84032AT-100 | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84032AT-100I | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS84018AT-180I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84018B-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| GS84018B-100I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84018B-100IT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| GS84018B-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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