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參數(shù)資料
| 型號： | GS84018AB-180I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256 × 18，128K的× 32，128K的× 36 4Mb的同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 13/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 911K |
| 代理商： | GS84018AB-180I |
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Rev: 1.12 7/2002
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
13/31
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS84018/32/36AT/B-180/166/150/100
Simplified State Diagram
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied Low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E
1,
E
2,
E
3
) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW and GW) control inputs
and that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write and ADSC control inputs and assumes
ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS84032AB-180I | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84036AB-180I | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84018AB-100I | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
| GS84018AB-150I | 256K x 18, 128K x 32, 128K x 36 4Mb Sync Burst SRAMs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS84018AGB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 10NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS84018AGB-166 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 3.3V 4.5MBIT 256KX18 8.5NS/3.5NS 119FBGA - Trays |
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