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參數(shù)資料
| 型號： | GS8342TT06BGD-500T |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 8/30頁 |
| 文件大?。?/td> | 267K |
| 代理商： | GS8342TT06BGD-500T |
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Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 5/2011
16/30
2011, GSI Technology
Preliminary
GS8342TT06/11/20/38BD-550/500/450/400/350
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–2 uA
2 uA
Doff
IILDOFF
VIN = 0 to VDD
–20 uA
2 uA
ODT
IILODT
VIN = 0 to VDD
–2 uA
20 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
HSTL I/O Output Driver DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max.
Units
Notes
Output High Voltage
VOH1
VDDQ/2 – 0.12
VDDQ/2 + 0.12
V
1, 3
Output Low Voltage
VOL1
VDDQ/2 – 0.12
VDDQ/2 + 0.12
V
2, 3
Output High Voltage
VOH2
VDDQ – 0.2
—V
4, 5
Output Low Voltage
VOL2
—
0.2
V
4, 6
Notes:
1.
IOH = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOH = VDDQ/2 (for: 175 RQ 275
2.
IOL = (VDDQ/2) / (RQ/5) +/– 15% @ VOL = VDDQ/2 (for: 175 RQ 275.
3. Parameter tested with RQ = 250
and VDDQ = 1.5 V
4. 0
RQ
5. IOH = –1.0 mA
6. IOL = 1.0 mA
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