參數(shù)資料
型號： GS832418B-150
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 10 ns, PBGA119
封裝： 14 X 22 MM, 1.27 MM PITCH, BGA-119
文件頁數(shù)： 30/46頁
文件大?。?/td> 1149K
代理商： GS832418B-150
Rev: 1.00 10/2001
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
30/46
2001, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS832418(B/C)/GS832436(B/C)/GS832472(C)
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
Single Read
ADSP is blocked by E1 inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
E
1
tKH
tKC
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
tS
RD1
Hi-Z
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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