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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832236E |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/41頁(yè) |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | GS832236E |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
26/41
2001, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236E-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-250 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832236E-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 8.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS832236E-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 8.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS832236E-150IT | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC SGL 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 8.5NS/3.8NS 165FBGA - Tape and Reel |
| GS832236E-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 8.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
| GS832236E-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 8.5NS/3.8NS 165FPBGA - Trays |
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