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參數(shù)資料
| 型號： | GS832236E-250 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 25/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | GS832236E-250 |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
25/41
2001, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236E-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832272C-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832272C-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832272C-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832272C-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832236GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236GB-200E | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS832236GB-200E - Trays |
| GS832236GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236GB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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