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參數(shù)資料
| 型號： | GS832236E-200I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 35/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | GS832236E-200I |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
35/41
2001, GSI Technology
209 BGA Package Drawing (Package C)
14 mm x 22 mm Body, 1.0 mm Bump Pitch, 11 x 19 Bump Array
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Symbol
Min
Typ
Max
Units
A
—
—
1.70
mm
D1
—
18.0 (BSC)
—
mm
A1
0.40
0.50
0.60
mm
E
13.9
14.0
14.1
mm
b
0.50
0.60
0.70
mm
E1
—
10.0 (BSC)
—
mm
c
0.31
0.36
0.38
mm
e
—
1.00 (BSC)
—
mm
D
21.9
22.0
22.1
mm
aaa
—
0.15
—
mm
Rev 1.0
A
A1
C
b
e
e
E
E
D1
D
aaa
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Side View
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236E-225 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-225I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-250 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832272C-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832236E-225 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7NS/2.7NS 165FBGA - Trays |
| GS832236GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236GB-200E | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS832236GB-200E - Trays |
| GS832236GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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