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參數(shù)資料
| 型號： | GS832236E-166I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | DIODE, ZENER, 4.3V, 0.5W, 5%, -65-175C, DO-35 |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 16/41頁 |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | GS832236E-166I |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
16/41
2001, GSI Technology
Simplified State Diagram with G
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
CR
R
CW
CR
CR
W
CW
W
CW
Notes:
1.
2.
The diagram shows supported (tested) synchronous state transitions plus supported transitions that depend upon the use of G.
Use of “Dummy Reads” (Read Cycles with G High) may be used to make the transition from read cycles to write cycles without passing
through a Deselect cycle. Dummy Read cycles increment the address counter just like normal read cycles.
Transitions shown in grey tone assume G has been pulsed high long enough to turn the RAM’s drivers off and for incoming data to meet
Data Input Set Up Time.
3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS8330DW36C-200I | 1 watt dc-dc converters |
| GS8330DW36C-250 | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1A 50V 30A-ifsm 1.2V-vf 200ns 5uA-ir DO-41 5K/AMMO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS832236GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236GB-200E | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS832236GB-200E - Trays |
| GS832236GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 36MBIT 1MX36 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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