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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832218E-250 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 64K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| 中文描述： | 200萬× 18，100萬× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 34/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | GS832218E-250 |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
34/41
2001, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832218E-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236 | 64K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| GS832236E | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-200I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832218GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236AB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
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