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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832218E-225I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 64K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/41頁(yè) |
| 文件大小： | 1223K |
| 代理商： | GS832218E-225I |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
23/41
2001, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832218E-250 | 64K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| GS832218E-250I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236 | 64K 3.3 VOLT SERIAL CONFIGURATION PROM |
| GS832236E | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-200 | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832218GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832236AB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk |
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