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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832218E-166 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | GBASE 350 C5E ORNG STRANDED BLK 500FT |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 36，為512k × 72分配36MB的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/41頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1223K |
| 代理商： | GS832218E-166 |
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Preliminary
GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.06 9/2004
2/41
2001, GSI Technology
209-Bump BGA—x72 Common I/O—Top View (Package C)
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11 x 19 Bump BGA—14 x 22 mm
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Body—1 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832236E-133 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 3Vz 20mA-Izt 0.05 50uA-Ir 1Vr DO35-GLASS 5K/AMMO |
| GS832236E-133I | DIODE ZENER SINGLE 500mW 3Vz 20mA-Izt 0.05 50uA-Ir 1Vr DO35-GLASS 5K/REEL |
| GS832236E-150 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 3.3Vz 20mA-Izt 0.05 25uA-Ir 1Vr DO35-GLASS 5K/REEL |
| GS832236E-150I | 2M x 18, 1M x 36, 512K x 72 36Mb S/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS832236E-166 | DIODE ZENER SINGLE 500mW 3.9Vz 20mA-Izt 0.05 10uA-Ir 1Vr DO35-GLASS 5K/AMMO |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832218E-225 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7NS/2.7NS 165FBGA - Trays |
| GS832218GB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS832218GB-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 36MBIT 2MX18 7.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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