參數(shù)資料
型號(hào)： GS8321V32GE-150I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 32 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 16/31頁(yè)
文件大?。?/td> 735K
代理商： GS8321V32GE-150I
AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
-250
-225
-200
-166
-150
-133
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Flow
Through
Clock Cycle Time
tKC
5.5
—
6.0
—
6.5
—
7.0
—
7.5
—
8.5
—
ns
Clock to Output Valid
tKQ
—
5.5
—
6.0
—
6.5
—
7.0
—
7.5
—
8.5
ns
Clock to Output Invalid
tKQX
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
ns
Clock to Output in Low-Z
tLZ
1
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
ns
Setup time
tS
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
ns
Hold time
tH
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
ns
Clock HIGH Time
tKH
1.3
—
1.3
—
1.3
—
1.3
—
1.5
—
1.7
—
ns
Clock LOW Time
tKL
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.5
—
1.7
—
2
—
ns
Clock to Output in
High-Z
tHZ
1
1.5
2.5
1.5
2.7
1.5
3.0
1.5
3.0
1.5
3.0
1.5
3.0
ns
G to Output Valid
tOE
—
2.5
—
2.7
—
3.0
—
3.5
—
3.8
—
4.0
ns
G to output in Low-Z
tOLZ
1
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
0
—
ns
G to output in High-Z
tOHZ
1
—
2.5
—
2.7
—
3.0
—
3.0
—
3.0
—
3.0
ns
ZZ setup time
tZZS
2
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
5
—
ns
ZZ hold time
tZZH
2
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
1
—
ns
ZZ recovery
tZZR
20
—
20
—
20
—
20
—
20
—
20
—
ns
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
16/31
2003, GSI Technology
Notes:
1.
2.
These parameters are sampled and are not 100% tested
ZZ is an asynchronous signal. However, In order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold
times as specified above.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321V32GE-166 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32GE-166I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V3E-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V3GE-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS8321V32GE-166 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32GE-166I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32GE-200 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32GE-200I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32GE-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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