參數(shù)資料
型號： GS8321V18GE-250
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 18/31頁
文件大?。?/td> 735K
代理商： GS8321V18GE-250
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
18/31
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321V18GE-250I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32E-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32E-133I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32E-150 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32E-150I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS8321V18GE-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V32E-133 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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