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參數(shù)資料
| 型號： | GS8321V18GE-200I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 2M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 6/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 735K |
| 代理商： | GS8321V18GE-200I |
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GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
6/31
2003, GSI Technology
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0
–
An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1
–
DQx9
NC
Parity
Compare
NC
Parity
Encode
36
4
36
36
4
32
Note: Only x36 version shown for simplicity.
1
36
36
D
Q
R
4
B
B
B
C
B
D
GS8321V18/32/36 Block Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8321V18GE-225 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-225I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V32E-133 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8321V18GE-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V18GE-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8321V32E-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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