參數(shù)資料
型號: GS8321V18E
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 200萬× 18,100萬× 32,100萬× 36同步突發(fā)靜態(tài)存儲器分配36MB
文件頁數(shù): 4/31頁
文件大?。?/td> 735K
代理商: GS8321V18E
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
4/31
2003, GSI Technology
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View (Package E)
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11 x 15 Bump BGA—15 mm x 17 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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GS8321V18GE-166 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-166I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18GE-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS8321V18E-150 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-150I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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