參數(shù)資料
型號(hào)： GS8321V18E-133I
廠(chǎng)商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 2M X 18 CACHE SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 18/31頁(yè)
文件大?。?/td> 735K
代理商： GS8321V18E-133I
GS8321V18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
18/31
2003, GSI Technology
Flow Through Mode Timing
Begin
Read A
Cont
Cont
Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSC
Deselected with E1
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8321V18E-150 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-150I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-166 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-166I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
GS8321V18E-150 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-150I 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-166 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-166I 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321V18E-200 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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