參數(shù)資料
型號: GS8321EV36E-250
廠商: GSI TECHNOLOGY
元件分類: DRAM
英文描述: 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述: 1M X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝: 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, BUMP, FPBGA-165
文件頁數(shù): 15/33頁
文件大?。?/td> 734K
代理商: GS8321EV36E-250
GS8321EV18/32/36E-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 4/2005
15/33
2003, GSI Technology
相關PDF資料
PDF描述
GS8321EV36E-250I 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321EV36GE-133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321EV36GE-150 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321EV36GE-166 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS8321EV36GE-200 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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