參數(shù)資料
型號(hào)： GS832136GE-166IV
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M X 36 CACHE SRAM, 7 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 5/31頁(yè)
文件大?。?/td> 745K
代理商： GS832136GE-166IV
GS832118/32/36E-xxxV 165-Bump BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
B
A
, B
B
, B
C
, B
D
NC
CK
BW
GW
E
1
E
3
E
2
G
ADV
ADSC, ADSP
ZZ
FT
LBO
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Byte Write—Writes all enabled bytes; active low
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active low
Chip Enable; active high
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active l0w
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
I
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
MCL
V
DD
V
SS
V
DDQ
—
Must Connect Low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
GS832118/32/36E-xxxV
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 6/2006
5/31
2003, GSI Technology
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS832136GE-166V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832136GE-200IV 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832136GE-200V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832136GE-225IV 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
GS832136GE-225V 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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GS832136GE-200V 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs
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