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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832032GT-225 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 32，100萬(wàn)× 36同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器分配36MB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | GS832032GT-225 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)當(dāng)前第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)
GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 10/2004
10/25
2003, GSI Technology
Simplified State Diagram
First Write
First Read
Burst Write
Burst Read
Deselect
R
W
CR
CW
X
X
W
R
R
W
R
X
X
X
S
S
CR
R
CW
CR
CR
Notes:
1.
2.
The diagram shows only supported (tested) synchronous state transitions. The diagram presumes G is tied low.
The upper portion of the diagram assumes active use of only the Enable (E1, E2, and E3) and Write (B
A
, B
B
, B
C
, B
D
, BW, and GW)
control inputs, and that ADSP is tied high and ADSC is tied low.
The upper and lower portions of the diagram together assume active use of only the Enable, Write, and ADSC control inputs, and
assumes ADSP is tied high and ADV is tied low.
3.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832032GT-225I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-250 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-250I | FILM/M CAPACITANCE=0.047 VOLT=250 |
| GS832036T-133 | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 1A 100V 30A-Ifsm 0.79Vf 0.5A-IR SMA 3K/REEL |
| GS832036T-133I | RECTIFIER SCHOTTKY SINGLE 1A 100V 50A-Ifsm 0.75Vf 0.5A-IR SMB 3K/REEL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS832032GT-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-225IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-225V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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