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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS832018T-150 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 200萬(wàn)× 18，100萬(wàn)× 32，100萬(wàn)× 36同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器分配36MB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/25頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 669K |
| 代理商： | GS832018T-150 |
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GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 10/2004
15/25
2003, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
2 uA
2 uA
ZZInput Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FTInput Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current (x36/x72)
I
OL
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output Leakage Current (x18)
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832018T-150I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS832032T-250I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832036 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832036T-166 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS832018T-150V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832018T-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832018T-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
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