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參數(shù)資料
| 型號： | GS820E32Q-6 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Synchronous Burst SRAM |
| 中文描述： | 200萬同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 16/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 345K |
| 代理商： | GS820E32Q-6 |
Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
16/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS820E32T/Q-150/138/133/117/100/66
Flow Through Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
RD1
WR1
RD2
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2
C
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tKH
ADSC initiated read
DQ
A
- DQ
D
B
A
- B
D
A0-An
tKL
tKC
tS
Single Write
ADSP is blocked by E inactive
tKQ
tS
tH
Hi-Z
Q2
A
Burst wrap around to it’s initial state
WR1
E
1
E
3
E
2
tS
tS tH
tS
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E3
tH
tH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820E32Q-66 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-6I | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-100 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-117 | 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820E32Q-66 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-6I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-100 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32T-117 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2M Synchronous Burst SRAM |
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