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參數(shù)資料
| 型號： | GS820E32Q-4 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2M Synchronous Burst SRAM |
| 中文描述： | 200萬同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 18/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 345K |
| 代理商： | GS820E32Q-4 |
Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
18/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS820E32T/Q-150/138/133/117/100/66
Pipelined DCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
E
1
E
3
G
E
2
WR1
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2
C
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS tH
tS
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tStH
tKH
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
DQ
A
- DQ
D
tKL
tKC
tS
tH
tH
Single Write
ADSP is blocked by E
1
inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
B
A
- B
D
RD1
WR1
RD2
tS tH
A
0
-A
n
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS820H32 | 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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