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參數(shù)資料
| 型號： | GS8170DW72C-300 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| 中文描述： | 256K X 72 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 15/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | GS8170DW72C-300 |
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GS8170DW36/72C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.04 5/2005
15/27
2002, GSI Technology, Inc.
20% tKC
V
SS
– 1.0 V
50%
V
SS
V
IH
Undershoot Measurement and Timing
Overshoot Measurement and Timing
20% tKC
V
DD
+ 1.0 V
50%
V
DD
V
IL
Capacitance
(T
A
= 25
o
C, f = 1 MH
Z
, V
DD
Parameter
Symbol
Test conditions
Typ.
Max.
Unit
Input Capacitance
C
IN
V
IN
= 0 V
4
5
pF
Output Capacitance
C
OUT
V
OUT
= 0 V
6
7
pF
Note:
This parameter is sample tested.
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
V
DD
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
V
DD
/2
Output reference level
V
DDQ
/2
DQ
VT = V
DDQ
/2
50
RQ = 250
(HSTL I/O)
AC Test Load Diagram
= 1.8 V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW72C-300I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW72C-333 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW72C-333I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170LW36AC | 18Mb ヒ1x1Lp CMOS I/O Late Write SigmaRAM |
| GS8321Z18E-133IV | 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8170LW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170LW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170LW36AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170LW36AGC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170LW36AGC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
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