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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8170DW36C-300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| 中文描述： | 512K X 36 STANDARD SRAM, 1.8 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 25/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 827K |
| 代理商： | GS8170DW36C-300I |
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Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
GS8170DW36/72C-333/300/250/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.04 5/2005
25/27
2002, GSI Technology, Inc.
209 BGA Package Drawing (Package C)
14 mm x 22 mm Body, 1.0 mm Bump Pitch, 11 x 19 Bump Array
A
A1
C
b
e
e
E
E
D1
D
aaa
Bottom View
Side View
Symbol
Min
Typ
Max
Units
Symbol
Min
Typ
Max
Units
A
—
—
1.70
mm
D1
—
18.0 (BSC)
—
mm
A1
0.40
0.50
0.60
mm
E
13.9
14.0
14.1
mm
b
0.50
0.60
0.70
mm
E1
—
10.0 (BSC)
—
mm
c
0.31
0.36
0.38
mm
e
—
1.00 (BSC)
—
mm
D
21.9
22.0
22.1
mm
aaa
—
0.15
—
mm
Rev 1.0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW36C | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-250 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-250I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8170DW72AC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 1.8V 18MBIT 256KX72 2.1NS 209FBGA - Trays |
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