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參數(shù)資料
| 型號： | GS8162Z72CGC-333I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| 中文描述： | 256K X 72 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-209 |
| 文件頁數(shù)： | 14/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 604K |
| 代理商： | GS8162Z72CGC-333I |
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GS8162Z72CC-333/300/250/200/150
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 3/2005
14/29
2004, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT, ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8170DW36C-300I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-250 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8170DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
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