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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8162Z72CGC-333 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| 中文描述： | 256K X 72 ZBT SRAM, 4.5 ns, PBGA209 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, BGA-209 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/29頁(yè) |
| 文件大小： | 604K |
| 代理商： | GS8162Z72CGC-333 |
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GS8162Z72CC-333/300/250/200/150
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01 3/2005
25/29
2004, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
Parameter
Symbol
V
IHJ3
V
ILJ3
V
IHJ2
V
ILJ2
I
INHJ
I
INLJ
I
OLJ
V
OHJ
V
OLJ
V
OHJC
V
OLJC
Min.
Max.
V
DD3
+0.3
Unit Notes
3.3 V Test Port Input High Voltage
2.0
V
1
3.3 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
0.8
V
1
2.5 V Test Port Input High Voltage
0.6 * V
DD2
V
DD2
+0.3
0.3 * V
DD2
V
1
2.5 V Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
100
uA
3
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
4
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
5, 7
Test Port Output CMOS High
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 8
Test Port Output CMOS Low
—
100 mV
V
5, 9
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DDn
+2 V not to exceed 4.6 V maximum, with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
ILJ
≤
V
IN
≤
V
DDn
0 V
≤
V
IN
≤
V
ILJn
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DDn
The TDO output driver is served by the V
DDQ
supply.
I
OHJ
=
–
4 mA
I
OLJ
= + 4 mA
I
OHJC
= –100 uA
I
OHJC
= +100 uA
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8162Z72CGC-333I | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8170DW36C-300I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200 | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
| GS8170DW36C-200I | 18Mb ヒ1x1Dp CMOS I/O Double Late Write SigmaRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8170DW36AC-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.8NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-350 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AC-350I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 1.7NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
| GS8170DW36AGC-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 18MBIT 512KX36 2.1NS 209FBGA - Trays |
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