參數(shù)資料
型號： GS8162V18AGB-350I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA119
封裝： PLASTIC, BGA-119
文件頁數(shù)： 11/37頁
文件大?。?/td> 947K
代理商： GS8162V18AGB-350I
Rev: 1.00a 6/2003
19/37
2003, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
GS8162V18A(B/D)/GS8162V36A(B/D)/GS8162V72A(C)
Preliminary
DC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
ZZ and PE Input Current
IIN1
VDD ≥ VIN ≥ VIH
0 V
≤ VIN ≤ VIH
–1 uA
1 uA
100 uA
FT, SCD, ZQ Input Current
IIN2
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–1 uA
1 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable, VOUT = 0 to VDD
–1 uA
1 uA
Output High Voltage
VOH
IOH = –4 mA, VDDQ = 1.6 V
VDDQ – 0.4 V
—
Output Low Voltage
VOL
IOL = 4 mA, VDD = 1.6 V
—
0.4 V
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