參數(shù)資料
型號(hào)： GS816272CGC-150V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 72 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA209
封裝： 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-209
文件頁(yè)數(shù)： 6/29頁(yè)
文件大小： 851K
代理商： GS816272CGC-150V
GS816272CC-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02a 6/2006
6/29
2004, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816272CGC-200IV 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS816272CGC-200V 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS816272CGC-250IV 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS816272CGC-250V 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
GS816272CGC-150I 256K x 72 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS816272CGC-300 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 5NS/2.8NS 209FBGA - Trays
GS816273C-133 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays
GS816273C-133I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.5NS 209FBGA - Trays
GS816273C-150 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC OCTAL 2.5V/3.3V 18MBIT 256KX72 3.3NS 209FBGA - Trays
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