參數(shù)資料
型號(hào)： GS816236D-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 3/41頁
文件大小： 980K
代理商： GS816236D-200
Tex8adx6prsi hsseiiainaeNtRcmmne o NwDsg.
GS816218(B/D)/GS816236(B/D)/GS816272(C)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.17 11/2004
3/41
1999, GSI Technology
GS816272 BGA Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
An
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
DQ
E
DQ
F
DQ
G
DQ
H
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter Preset Inputs.
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
B
A
, B
B
, B
C
,B
D,
B
E
, B
F
, B
G
,B
H
I
Byte Write Enable for DQ
A
, DQ
B
, DQ
C
, DQ
D,
DQ
E
,
DQ
F
, DQ
G
, DQ
H
I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
NC
CK
—
I
GW
I
Global Write Enable—Writes all bytes; active low
E
1,
E
3
I
Chip Enable; active low
E
2
I
Chip Enable; active high
G
I
Output Enable; active low
ADV
I
Burst address counter advance enable; active low
ADSP, ADSC
I
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
ZZ
I
Sleep Mode control; active high
FT
I
Flow Through or Pipeline mode; active low
LBO
I
Linear Burst Order mode; active low
SCD
I
Single Cycle Deselect/Dual Cycle Deselect Mode Control
MCH
I
Must Connect High
MCL
Must Connect Low
BW
I
Byte Enable; active low
ZQ
I
FLXDrive Output Impedance Control
(Low = Low Impedance [High Drive], High = High Impedance [Low Drive])
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
V
DD
I
Core power supply
V
SS
I
I/O and Core Ground
V
DDQ
I
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816236D-200I 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
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GS816218B-133 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816218B-133I 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816218B-150 1M x 18, 512K x 36, 256K x 72 18Mb Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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