參數(shù)資料
型號(hào)： GS816236BD-150I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165
封裝： FBGA-165
文件頁數(shù)： 17/37頁
文件大?。?/td> 866K
代理商： GS816236BD-150I
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
17/37
2004, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
305
40
315
40
255
30
265
30
205
20
215
20
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
235
20
245
20
205
15
215
15
190
15
200
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
275
20
285
20
230
15
240
15
185
15
195
15
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
215
10
225
10
190
10
200
10
175
10
185
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Flow Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
85
90
75
80
60
65
mA
Flow Through
I
DD
60
65
50
55
50
55
mA
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816236BD-200 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-200I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-250 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-250I 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BGB-150 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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GS816236BD-166M 制造商:GSI Technology 功能描述:GS816236BD-166M - Trays
GS816236BD-180M 制造商:GSI Technology 功能描述:GS816236BD-180M - Trays
GS816236BD-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays
GS816236BD-225M 制造商:GSI Technology 功能描述:GS816236BD-225M - Trays
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