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> GS816218BGD-200I (GSI TECHNOLOGY) 1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
型號(hào):
GS816218BGD-200I
廠商:
GSI TECHNOLOGY
元件分類:
DRAM
英文描述:
1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述:
1M X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝:
ROHS COMPLIANT, FBGA-165
文件頁數(shù):
7/37頁
文件大?。?/td>
866K
代理商:
GS816218BGD-200I
第1頁
第2頁
第3頁
第4頁
第5頁
第6頁
當(dāng)前第7頁
第8頁
第9頁
第10頁
第11頁
第12頁
第13頁
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第15頁
第16頁
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第31頁
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第33頁
第34頁
第35頁
第36頁
第37頁
GS816218/36B(B/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.04 9/2005
7/37
2004, GSI Technology
GS816218/36B Block Diagram
A1
A0
A0
A1
D0
D1
Q1
Q0
Counter
Load
D
Q
D
Q
Register
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
Register
D
Q
R
D
Q
R
A0–An
LBO
ADV
CK
ADSC
ADSP
GW
BW
B
A
E
1
FT
G
ZZ
Power Down
Control
Memory
Array
36
36
4
A
Q
D
DQx1–DQx9
36
36
Note: Only x36 version shown for simplicity.
36
36
B
B
B
C
B
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS816218BGD-250
1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816218BGD-250I
1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-150
1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-150I
1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
GS816236BD-200
1M x 18, 512K x 36 18MbS/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS816218BGD-200IV
制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays
GS816218BGD-200V
制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays
GS816218BGD-250
制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 5.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays
GS816218BGD-250V
制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 18MBIT 1MX18 5.5NS/2.5NS 165FPBGA - Trays
GS816218DB-150
制造商:GSI Technology 功能描述:119 BGA - Bulk
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