| 型號(hào): | GS8161V18CGD-300 |
| 廠商: | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類: | DRAM |
| 英文描述: | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述: | 1M X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PBGA165 |
| 封裝: | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù): | 26/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 584K |
| 代理商: | GS8161V18CGD-300 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS8161V18CGD-300I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CGD-333 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CGD-333I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CD-250 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CD-250I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8161V18CGD-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CGD-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CGD-333I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CD-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CD-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |