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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161E36BT-150IV |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/35頁(yè) |
| 文件大小： | 779K |
| 代理商： | GS8161E36BT-150IV |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
18/35
2004, GSI Technology
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/
x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
290
40
300
40
240
30
250
30
190
20
200
20
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
220
20
230
20
190
15
200
15
175
15
185
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
260
20
270
20
215
15
225
15
170
15
180
15
mA
Flow Through
I
DD
I
DDQ
200
10
210
10
175
10
185
10
160
10
170
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Flow Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
85
90
75
80
60
65
mA
Flow Through
I
DD
60
65
50
55
50
55
mA
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD
and V
DDQ
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E36BT-150V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V36CD-300 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-250 | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161V18CD-250I | 1M x 18 and 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E36BT-150V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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