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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161E36BGT-200I |
| 廠(chǎng)商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 766K |
| 代理商： | GS8161E36BGT-200I |
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GS8161E18B(T/D)/GS8161E32B(D)/GS8161E36B(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 9/2005
7/35
2004, GSI Technology
165 Bump BGA—x36 Common I/O—Top View
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11 x 15 Bump BGA—13mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
(Package D)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E36BGT-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BGT-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-150 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-150I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E36BT-200 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E36BGT-200IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
| GS8161E36BGT-200V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
| GS8161E36BGT-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 100TQFP - Trays |
| GS8161E36BGT-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 5.5NS/2.5NS 100TQFP - Trays |
| GS8161E36BGT-250IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX36 5.5NS/3NS 100TQFP - Trays |
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