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參數資料
| 型號： | GS8161E32D-133I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數： | 5/36頁 |
| 文件大小： | 939K |
| 代理商： | GS8161E32D-133I |
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GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
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1998, GSI Technology
165 Bump BGA—x18 Commom I/O—Top View (Package D)
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11 x 15 Bump BGA—13 mm x 15 mm Body—1.0 mm Bump Pitch
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS8161E32D-166 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS8161E36T-133 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GS8161E32D-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32D-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32D-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32D-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32D-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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