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參數資料
| 型號： | GS8161E32BGD-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 32 CACHE SRAM, 7.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數： | 2/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 766K |
| 代理商： | GS8161E32BGD-150I |
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GS8161E18B(T/D)/GS8161E32B(D)/GS8161E36B(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 9/2005
2/35
2004, GSI Technology
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GS8161E18B 100-Pin TQFP Pinout
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| GS8161E32BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-250I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| GS8161E32BGD-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E32BGD-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX32 6.5NS/3NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E32BGD-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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