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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161E32BD-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 32 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/35頁(yè) |
| 文件大小： | 766K |
| 代理商： | GS8161E32BD-250I |
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GS8161E18B(T/D)/GS8161E32B(D)/GS8161E36B(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 9/2005
21/35
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E32BGD-150 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-150I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-200 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-200I | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-250 | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E32BD-250IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V/2.5V 18MBIT 512KX32 5.5NS/3NS 165FPBGA - Trays |
| GS8161E32BD-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BGD-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX32 7.5NS/3.8NS 165FBGA - Trays |
| GS8161E32BGD-150IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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