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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161E18T-166I |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SO 0 to 70 |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 18，512k × 32的，為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/36頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | GS8161E18T-166I |
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GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
4/36
1998, GSI Technology
100-Pin TQFP Pin Descriptions
Symbol
Type
Description
A
0
, A
1
In
Burst Address Inputs; Preload the burst counter
A
In
Address Inputs
CK
In
Clock Input Signal
B
A
In
Byte Write signal for data inputs DQ
A1
–DQ
A9
; active low
B
B
In
Byte Write signal for data inputs DQ
B1
–DQ
B9
; active low
B
C
In
Byte Write signal for data inputs DQ
C1
–DQ
C9
; active low
B
D
In
Byte Write signal for data inputs DQ
D1
–DQ
D9
; active low
W
In
Write Enable; active low
E
1
In
Chip Enable; active low
E
2
In
Chip Enable—Active High. For self decoded depth expansion
E
3
In
Chip Enable—Active Low. For self decoded depth expansion
G
In
Output Enable; active low
ADV
In
Advance/Load; Burst address counter control pin
CKE
In
Clock Input Buffer Enable; active low
NC
—
No Connect
DQ
A
I/O
Byte A Data Input and Output pins
DQ
B
I/O
Byte B Data Input and Output pins
DQ
C
I/O
Byte C Data Input and Output pins
DQ
D
I/O
Byte D Data Input and Output pins
TMS
I
Scan Test Mode Select
TDI
I
Scan Test Data In
TDO
O
Scan Test Data Out
TCK
I
Scan Test Clock
ZZ
In
Power down control; active high
FT
In
Pipeline/Flow Through Mode Control; active low
LBO
In
Linear Burst Order; active low.
V
DD
In
Core power supply
V
SS
In
Ground
V
DDQ
In
Output driver power supply
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18T-200 | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SO 0 to 70 |
| GS8161E18T-200I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-225 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-225I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-250 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E18T-200 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-200I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-225 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-225I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18T-250 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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