型號(hào): | GS8161E18T-133 |
廠商: | Electronic Theatre Controls, Inc. |
英文描述: | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70 |
中文描述: | 100萬× 18,512k × 32的,為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
文件頁數(shù): | 13/36頁 |
文件大?。?/td> | 939K |
代理商: | GS8161E18T-133 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
GS8161E36D-225I | 25-Bit Configurable Registered Buffer With Address-Parity Test 96-LFBGA 0 to 70 |
GS8161E36D-250 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E36D-250I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E36T-150I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E36T-166 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
GS8161E18T-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-150 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-150I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
GS8161E18T-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |