參數(shù)資料
型號： GS8161E18D-200I
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
元件分類： DRAM
英文描述： 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 22/36頁
文件大?。?/td> 939K
代理商： GS8161E18D-200I
GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
22/36
1998, GSI Technology
Pipeline Mode Timing
Write A
Read B
Suspend
Read C
Write D
writeno-op
Read E
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
D(A)
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
D
E
D(D)
Q(E)
Q(B)
Q(C)
CK
A
CKE
E*
ADV
W
Bn
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161E18D-225 Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70
GS8161E18D-225I Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70
GS8161E18D-250 Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70
GS8161E18D-250I Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70
GS8161E18T-133 Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS8161E18D-225 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18D-225I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18D-250 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18D-250I 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS8161E18DD-150 制造商:GSI Technology 功能描述:165 BGA - Bulk
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*