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參數(shù)資料
| 型號： | GS8161E18D-166 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M×18，512k×32，512k×36 18M位同步突發(fā)靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 3/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 939K |
| 代理商： | GS8161E18D-166 |
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GS8161Z18(T/D)/GS8161Z32(D)/GS8161Z36(T/D)
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 2.15 11/2004
3/36
1998, GSI Technology
GS8161Z36T Pinout (Package T)
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18D-166I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-200 | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-200I | 1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-225 | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70 |
| GS8161E18D-225I | Quad 2-input Exclusive-OR gates 14-SOIC 0 to 70 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8161E18D-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-225 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18D-225I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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