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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8161E18BT-V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 18，為512k × 36，為512k × 36 35.7同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/35頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | GS8161E18BT-V |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
29/35
2004, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
TCK Cycle Time
TCK Low to TDO Valid
TCK High Pulse Width
TCK Low Pulse Width
TDI & TMS Set Up Time
TDI & TMS Hold Time
Symbol
tTKC
tTKQ
tTKH
tTKL
tTS
tTH
Min
50
—
20
20
10
10
Max
—
20
—
—
—
—
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Boundary Scan (BSDL Files)
For information regarding the Boundary Scan Chain, or to obtain BSDL files for this part, please contact our Applications
Engineering Department at: apps@gsitechnology.com.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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