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參數資料
| 型號： | GS8161E18BT-150V |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 1M X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數： | 34/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 779K |
| 代理商： | GS8161E18BT-150V |
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GS8161ExxB(T/D)-xxxV
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.01a 6/2006
34/35
2004, GSI Technology
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8161E18BT-200IV | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-200V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-250IV | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-V | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E32BD-150IV | 1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| GS8161E18BT-200 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-200I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-200IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-200V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
| GS8161E18BT-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs |
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